全球氮化镓(GaN)半导体领导者英诺赛科，于近日正式向香港联交所提交A1上市申请，中金公司与招银国际担任联席保荐人。
截至2023年12月31日，以折算氮化镓分立器件计，公司累计出货量超过5亿颗，成为全球氮化镓出货量的领军企业。公司与全球主要客户建立了紧密合作关系，推动了行业标准的制定与市场秩序的优化，展现了其在产业链中的核心价值。
占据优势赛道 氮化镓市场潜力巨大
据了解，氮化镓材料以其高频、高电子迁移率、强抗辐射能力及低导通电阻等卓越特性，正逐步改变功率半导体行业格局。机构预测，2023年至2028年间，全球氮化镓功率半导体市场规模将实现指数级增长，复合年增长率高达98.5%，市场潜力巨大。
作为全球功率半导体革命的先驱，英诺赛科此次赴港上市标志着氮化镓功率半导体行业进入加速发展阶段，弗若斯特沙利文预计至2028年，全球市场规模将达到501.4亿元人民币。
构建技术壁垒 夯实领先地位
英诺赛科作为全球氮化镓行业的佼佼者，汇聚了397名研发精英，共同构建了覆盖芯片设计、器件结构、晶圆制造等领域的研发团队。据介绍，公司不仅是全球首家实现8英寸硅基氮化镓晶圆量产的企业，亦是全球唯一具备产业规模提供全电压谱系的硅基氮化镓半导体产品的公司，彰显了其在技术创新与市场开拓上的领先地位。
英诺赛科的产品线涵盖了从分立器件到集成电路、晶圆及模组，广泛服务于消费电子、可再生能源、工业应用、汽车电子及数据中心等多个领域。氮化镓技术的应用不仅提升了产品的性能与效率，还缩小了设备尺寸，为用户带来了更优质、便捷的使用体验。尤其在汽车电子领域，英诺赛科的氮化镓产品通过IATF 16949车规级认证，支持48V电源系统及LiDAR系统，为自动驾驶技术的安全性和效能提供了坚实保障。
全球氮化镓(GaN)半导体领导者英诺赛科，于近日正式向香港联交所提交A1上市申请，中金公司与招银国际担任联席保荐人。
截至2023年12月31日，以折算氮化镓分立器件计，公司累计出货量超过5亿颗，成为全球氮化镓出货量的领军企业。公司与全球主要客户建立了紧密合作关系，推动了行业标准的制定与市场秩序的优化，展现了其在产业链中的核心价值。
占据优势赛道 氮化镓市场潜力巨大
据了解，氮化镓材料以其高频、高电子迁移率、强抗辐射能力及低导通电阻等卓越特性，正逐步改变功率半导体行业格局。机构预测，2023年至2028年间，全球氮化镓功率半导体市场规模将实现指数级增长，复合年增长率高达98.5%，市场潜力巨大。
作为全球功率半导体革命的先驱，英诺赛科此次赴港上市标志着氮化镓功率半导体行业进入加速发展阶段，弗若斯特沙利文预计至2028年，全球市场规模将达到501.4亿元人民币。
构建技术壁垒 夯实领先地位
英诺赛科作为全球氮化镓行业的佼佼者，汇聚了397名研发精英，共同构建了覆盖芯片设计、器件结构、晶圆制造等领域的研发团队。据介绍，公司不仅是全球首家实现8英寸硅基氮化镓晶圆量产的企业，亦是全球唯一具备产业规模提供全电压谱系的硅基氮化镓半导体产品的公司，彰显了其在技术创新与市场开拓上的领先地位。
英诺赛科的产品线涵盖了从分立器件到集成电路、晶圆及模组，广泛服务于消费电子、可再生能源、工业应用、汽车电子及数据中心等多个领域。氮化镓技术的应用不仅提升了产品的性能与效率，还缩小了设备尺寸，为用户带来了更优质、便捷的使用体验。尤其在汽车电子领域，英诺赛科的氮化镓产品通过IATF 16949车规级认证，支持48V电源系统及LiDAR系统，为自动驾驶技术的安全性和效能提供了坚实保障。
此外，根据已披露的招股书显示，英诺赛科的技术独特性首先体现在8英寸硅基氮化镓晶圆的量产，可谓实现了三方面的突破与提升：一是对氮化镓行业现有的6英寸技术的突破，开发了新的量产工艺和技术，并且实现大规模成熟量产；二是采用硅基技术路线制造氮化镓晶圆，与现有的8英寸硅制造设备兼容，公司对制造工艺进行了大量定制化改进；三是实现了在产品性能及效益上的显著提升，以招股书披露数据来看，与传统的6英寸晶圆相比，8英寸晶圆晶粒产出数提升了80%，单一器件成本降低30%。
除了制造能力独树一帜，公司在产品研发上实现了全电压谱系产品组合，是全球唯一一家在整个氮化镓产品电压范围内实现技术突破的公司，研发范围覆盖15V至1200V，可以较好满足下游广泛应用需求。为了在下游应用中充分发挥氮化镓的材料优势，公司还投入大量资源，开发先进封装工艺，以及投资大量资源，建设氮化镓可靠性测试体系，以确保产品符合卓越的工业应用和高端消费产品的可靠性要求。
大量研发投入可以佐证公司在取得全球领先技术地位过程中付出的努力，根据招股书数据，2021年至2023年，公司的研发费用合计为人民币15.92亿元。截至2023年12月31日，公司在全球有约700项专利及专利申请，涵盖芯片设计、器件结构、晶圆制造、封装及可靠性测试等关键领域。
业务增长势头强劲 亏损范围逐渐收窄
从招股书财务数据来看，最近三年(2021年至2023年，下同)英诺赛科业务高速增长，收入由2021年的6821.5万元(人民币，下同)增加至2023年的5.9亿元，2021年-2023年，收入复合年增长率高达194.8%。这一方面是全球氮化镓下游应用进入爆发期，需求端强力拉动，另一方面也得益于公司长期富有远见的战略布局，采用IDM模式，在产品设计、工艺制造、测试及下游应用等方面持续大量投入，确立了独特的技术领先地位及综合运营优势，能够有效满足市场强劲需求。
从营收区域结构来看，公司境外业务虽然起步较晚，但进展迅猛，招股书数据显示，2023年境外销售收入约占公司同期总收入的10%。公司高度重视业务全球化发展，招股书显示，公司是唯一一家与全球主要公司进行供应合作的中国氮化镓半导体芯片公司。在2023年，公司已向中国和海外(主要包括亚洲和欧洲)约100名客户提供了氮化镓产品。
利润方面，招股书显示，公司最近三年合计净亏损约67.07亿元，合计净亏损中两项非经营性因素影响较大，第一项是公司历次融资过程中授予投资者金融工具赎回权产生的负债账面值变动31.97亿元(该等赎回权现已终止)；第二项是公司雇员激励计划产生的股份支付1.37亿元，公司对核心团队的激励也有助于未来长足发展。
仅就经调整净亏损来分析，公司近三年经调整净亏损合计约33.73亿元，其中2023年经调整净亏损约为10.16亿元，较2022年的经调整净亏损12.77亿元有所收窄，显示出公司在营收规模快速扩大时，整体运营质量及效率正在快速改善。
与此同时，公司采取全球化布局策略，在苏州、珠海设立生产基地，并于硅谷、首尔、比利时等地建立子公司，积极拓展海外市场。2023年，英诺赛科的境外销售额近5800万元人民币，约占总收入的10%，体现了其在国际市场的影响力。
分析人士指出，英诺赛科冲刺港股上市，不仅将为公司注入新的资本动力，加速其技术研发与市场扩张的步伐，还将进一步提升氮化镓功率半导体行业的全球竞争力，引领新一轮的能源技术革新浪潮。随着英诺赛科的上市进程不断迫近，氮化镓功率半导体行业将迎来前所未有的发展机遇，有望成为全球功率半导体产业的一次重要里程碑，预示着氮化镓技术将更广泛地应用于未来的能源解决方案中，为全球绿色能源转型贡献力量。
