“全球氮化镓市场正在经历由新兴行业需求推动的快速增长期，特别是在新能源汽车和人工智能等应用领域，对电源产品的能效提出了更高的标准。”业内人士指出，功率半导体芯片作为电源产品的核心，氮化镓凭借其高频、高电子迁移率、强抗辐射能力、低导通电阻和无反向恢复损耗等优势，在性能和工艺创新方面展现出巨大的发展潜力，更好地满足了当前全球功率半导体器件的革命性需求。
作为全球氮化镓半导体行业的领军企业，英诺赛科自成立伊始便坚持采用集成器件制造商(IDM)商业模式。尽管IDM模式初期需要较大的资本支出和研发投入，但其整合了芯片设计、制造、测试和终端应用的全运营过程，尤其是芯片设计与制造工艺的深度协同，显著提升了整体运营效率。
与Fabless模式相比，IDM模式赋予了英诺赛科在制造能力和工艺迭代上的自主性，同时避免了Foundry模式中对下游客户高效定制化解决方案能力的局限。沙利文的预测指出，IDM商业模式将成为未来氮化镓行业的主流选择。
在技术实力方面，英诺赛科在全球氮化镓行业中亦处于领先地位。公司的技术突破主要体现在8英寸硅基氮化镓晶圆的量产上，这不仅突破了现有6英寸技术的局限，还实现了与现有8英寸硅制造设备的兼容性，并通过大量定制化改进提升了制造工艺。此外，8英寸晶圆相比6英寸晶圆在晶粒产出数上提升了80%，单一器件成本降低了30%。
此外，公司的产品覆盖全面，从分立器件到集成电路、晶圆及模组，并广泛应用于消费电子、可再生能源、工业、汽车电子和数据中心等多个关键领域。同时，公司采用氮化镓技术，不仅显著提升了产品的性能和效率，而且通过缩小设备尺寸，为用户提供了更优质、更便捷的使用体验。在汽车电子领域，英诺赛科的产品通过IATF 16949车规级认证，支持48V电源系统和LiDAR系统，为自动驾驶技术的安全性和效能提供了坚实的技术支撑。
“全球氮化镓市场正在经历由新兴行业需求推动的快速增长期，特别是在新能源汽车和人工智能等应用领域，对电源产品的能效提出了更高的标准。”业内人士指出，功率半导体芯片作为电源产品的核心，氮化镓凭借其高频、高电子迁移率、强抗辐射能力、低导通电阻和无反向恢复损耗等优势，在性能和工艺创新方面展现出巨大的发展潜力，更好地满足了当前全球功率半导体器件的革命性需求。
作为全球氮化镓半导体行业的领军企业，英诺赛科自成立伊始便坚持采用集成器件制造商(IDM)商业模式。尽管IDM模式初期需要较大的资本支出和研发投入，但其整合了芯片设计、制造、测试和终端应用的全运营过程，尤其是芯片设计与制造工艺的深度协同，显著提升了整体运营效率。
与Fabless模式相比，IDM模式赋予了英诺赛科在制造能力和工艺迭代上的自主性，同时避免了Foundry模式中对下游客户高效定制化解决方案能力的局限。沙利文的预测指出，IDM商业模式将成为未来氮化镓行业的主流选择。
在技术实力方面，英诺赛科在全球氮化镓行业中亦处于领先地位。公司的技术突破主要体现在8英寸硅基氮化镓晶圆的量产上，这不仅突破了现有6英寸技术的局限，还实现了与现有8英寸硅制造设备的兼容性，并通过大量定制化改进提升了制造工艺。此外，8英寸晶圆相比6英寸晶圆在晶粒产出数上提升了80%，单一器件成本降低了30%。
此外，公司的产品覆盖全面，从分立器件到集成电路、晶圆及模组，并广泛应用于消费电子、可再生能源、工业、汽车电子和数据中心等多个关键领域。同时，公司采用氮化镓技术，不仅显著提升了产品的性能和效率，而且通过缩小设备尺寸，为用户提供了更优质、更便捷的使用体验。在汽车电子领域，英诺赛科的产品通过IATF 16949车规级认证，支持48V电源系统和LiDAR系统，为自动驾驶技术的安全性和效能提供了坚实的技术支撑。
值得注意的是，英诺赛科近年来积极推进全球化战略布局，在苏州、珠海建立了先进的生产基地，并在硅谷、首尔、比利时等全球创新高地设立子公司，积极拓展国际市场。2023年，英诺赛科的境外销售额达到近5800万元人民币，占总收入的10%，彰显了其在国际市场的强大竞争力和影响力。
截至2023年12月31日，英诺赛科的氮化镓分立器件累计出货量超过5亿颗，确立了其在全球氮化镓出货量中的领导地位。而在财务表现上，从2021年到2023年，公司营收实现了从6821.5万元到5.9亿元的跨越，显示了市场对其产品和服务的高度认可。
业内人士表示，当前英诺赛科正冲刺港股上市，这将为公司注入新的资本动力，加速技术研发和市场扩张的步伐。上市不仅将提升公司的全球竞争力，还将引领新一轮的能源技术革新浪潮，推动氮化镓功率半导体行业迈向更广阔的发展空间。随着上市进程的不断推进，氮化镓功率半导体行业将迎来前所未有的发展机遇。这不仅是全球功率半导体产业的一次重要里程碑，也预示着氮化镓技术将在未来能源解决方案中发挥更加关键的作用，为全球绿色能源转型贡献重要力量。
