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半导体巨头押注氮化镓芯片 有望在数据中心领域大幅放量

财联社 佚名

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  据行业媒体报道,欧洲芯片制造商英飞凌押注下一代功率半导体,用于从超高速手机充电器到电动汽车的各种领域,以求在更广泛的芯片市场低迷的情况下刺激增长。英飞凌功率和传感器系统总裁怀特表示,英飞凌特别看好氮化镓(GaN)芯片。该公司预测,到2027年,氮化镓芯片市场将以每年56%的速度增长。
  Yole预测,GaN射频器件市场规模将从2020年的8.91亿美元增长到2026年24亿美元,复合年均增长率为18%。GaN功率器件市场规模将从2020年的0.46亿美元增长至2026年11亿美元,复合年均增长率为70%。机构分析指出,英飞凌收购GaNSystems一方面体现了GaN在汽车、数据中心、工业等应用领域的未来发展前景,另一方面也预示着产业链竞争或将进入整合阶段。
  据财联社主题库显示,相关上市公司中:
  赛微电子GaN业务团队在材料和器件上均实现了技术突破,在GaN外延片方面,公司已具备6-8英寸GaN外延材料生长能力且技术成熟;在GaN器件设计方面,公司在技术、应用及需求方面也进行了迭代并实现销售。
  新洁能650V/190mohmE-ModeHEMT产品开发完成,产品各项电学参数指标达到国内领先水平,项目产品通过可靠性考核,100V/200VGaN产品开发中。
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